En sistemas de servidor con CPU AMD EPYC 7002, el acceso a la memoria por CPU está dividido en 8 canales de memoria (A B C D E F G H).
Cada canal de memoria puede estar equipado con uno o dos ranuras DIMM, permitiendo que una CPU EPYC 7002 direccione hasta 16 módulos de memoria directamente.
La disposición de la memoria en la placa base influye significativamente en el rendimiento general del sistema.
Hemos dividido los cuatro «niveles de rendimiento» posibles de la tasa de transferencia resultante en el bus de memoria (entre RAM y CPU) como se muestra, con colores y marcas en el cuadro de configuración de RAM.
| Mejor rendimiento (100%) | Cada canal de memoria se llena con 1 o 2 módulos de memoria de capacidad y velocidad idénticas |
| Buen rendimiento (95%) | Cada canal de memoria se llena con 1 o 2 módulos de memoria con módulos idénticos por pares, pero no todos los módulos tienen la misma capacidad |
| Rendimiento moderado (50-55%) | La mitad de los canales de memoria están ocupados por 1 módulo de memoria. Que las capacidades sean idénticas o diferentes hace poca diferencia |
| Pobre rendimiento (25%) | Solo se utilizan 1 o 2 ranuras, la mayoría de las ranuras DIMM están vacías |
Ejemplos de configuraciones de RAM para un sistema basado en EPYC 7002:
Tomando como ejemplo una placa base con 16 ranuras DIMM y una CPU EPYC 7002, detallamos varias opciones de configuración RAM hasta 256 GB. Contáctenos si tiene preguntas sobre la configuración de la memoria en su placa base.
Número de ranuras en la placa: 16
Número de sockets de CPU en la placa: 1
Nuestra recomendación: equipar cada canal de memoria
- Es ideal equipar cada canal de memoria en pares, pero mientras cada canal tenga al menos un módulo, una configuración casi equilibrada brindará un buen rendimiento.
- Es beneficioso equipar canales vacíos antes de llenar una segunda ranura en un canal ya ocupado.
- AMD recomienda llenar los 8 canales.
| Ejemplo: | |
| 8 x 16 GB: | configuración ideal, tasa de transferencia de bus de memoria al 100% |
| 4 x 8 GB + 4 x 32 GB: | configuración casi ideal, tasa de transferencia de bus de memoria al 95% |
No se recomienda: equipar solo canales de memoria individuales:
- 4 DIMMs en 8 canales: tasa de transferencia de bus de memoria de aproximadamente 50-55 %
- 2 DIMMs en 8 canales: tasa de transferencia de bus de memoria de aproximadamente 25-30 %
Ejemplo: Tasa de transferencia para una capacidad RAM idéntica con un número variable de DIMMs en una placa base AMD EPYC 7002 con 16 ranuras y una CPU.
Las siguientes combinaciones no son posibles:
- No es posible mezclar tecnologías de memoria tales como RDIMM, LRDIMM o 3DS DIMM en las ranuras de memoria del CPU.
- Dentro de un canal con dos ranuras DIMM, no se puede mezclar memoria basada en x4 y x8 ni memoria basada en 8 Gbit y 16 Gbit. La memoria debe ser técnicamente idéntica a la memoria existente.
| Ejemplo: | |
| Ranura A0: 16 GB 2Rx8 y Ranura A1: 16 GB 1Rx8 |
no posible |
| Ranura A0: 16 GB 2Rx8 y Ranura A1: 16 GB 2Rx4 |
no posible |
Contáctenos si tiene dudas sobre qué memoria agregar a su memoria existente.
Combinaciones posibles:
- En una placa base con dos CPUs EPYC 7002, cada CPU puede configurarse de manera diferente con módulos de RDIMM, LRDIMM, y 3DS DIMM.
- Para cada CPU, ver «Las siguientes combinaciones no son posibles».
- Dentro de una CPU, la memoria basada en x4 y x8 y la memoria basada en 8 Gbit y 16 Gbit pueden mezclarse en cada canal de memoria.
| Ejemplo: | |
| Ranura A0: 16 GB 2Rx8 y Ranura B0: 16 GB 1Rx8 |
es posible |
| Ranura A0: 16 GB 2Rx8 y Ranura B0: 16 GB 2Rx4 |
es posible |
Contáctenos si tiene dudas sobre qué memoria agregar a su memoria existente.
Interleaving de RAM para EPYC 7002:
- Para habilitar el interleaving, deben utilizarse módulos de memoria con capacidades y rangos idénticos.
- Interleaving de dos vías: se equipa cada primera ranura DIMM, por ejemplo, de los canales de memoria C+D con módulos de RAM idénticos.
- Interleaving de cuatro vías: se equipa cada primera ranura DIMM, por ejemplo, de los canales de memoria A+B y C+D con módulos de RAM idénticos.
- Interleaving de ocho vías: se equipa cada primera ranura DIMM, por ejemplo, de los canales de memoria A+B+C+D+E+F+G+H con módulos de RAM idénticos.
Interleaving de RAM: En el interleaving de RAM, los bloques de datos se dividen en varios módulos de memoria durante el intercambio entre CPU y RAM, permitiendo que cada módulo tenga más tiempo para procesar los datos y mejorando el rendimiento general del sistema.
Conclusión:
Cada opción de configuración tiene ventajas y desventajas. Al configurar las ranuras de memoria, la decisión consiste en aceptar cierta pérdida de rendimiento o optar por el máximo rendimiento.
Si no configura cada canal de memoria:
- es posible que tenga costos iniciales más bajos
- muchas ranuras libres permiten futuras actualizaciones
- el consumo de energía será ligeramente menor.
Si configura cada canal de memoria de inmediato:
- alcanzará de inmediato la tasa máxima de transferencia del bus de memoria
- el sistema completo se podrá utilizar al máximo de inmediato.