La tecnología 3DS se refiere al apilamiento 3 Dimensional de memoria DRAM en la placa de memoria para producir módulos de memoria de alta capacidad.
Esta tecnología de fabricación tridimensional fue definida por JEDEC como un estándar para módulos de memoria bajo el término «3DS».
En este proceso, se apilan 2, 4 o 8 DIE DRAM (DIE = chip de sustrato de silicio individual) en un paquete DRAM y se conectan con canales verticales de DIE a DIE.
La conexión se realiza internamente a través de líneas TSV (Through-Silicon Vias) verticales en esta moderna forma de «apilamiento».
Los apilamientos de DIE DRAM constan de un DIE maestro y uno o más DIE esclavos.
El controlador de memoria del sistema interactúa únicamente con el DIE maestro, mientras que los DIE esclavos son controlados de manera autónoma por el DIE maestro.
Esta estructura le da a una memoria 3DS rangos físicos y lógicos: una memoria 3DS de 128 GB etiquetada como “4H TSV 2S4Rx4” tiene 8 rangos (2 rangos físicos x 4 rangos lógicos) en el módulo de memoria. Esta memoria consiste en 36 apilamientos de DIE DRAM, cada uno con 4 DIE apilados (=4H TSV).
De los 4 DIE por apilamiento de DIE DRAM, solo el DIE maestro es directamente direccionado por el controlador de memoria. El módulo de memoria 3DS de 128 GB con 2S4Rx4 tiene 36 apilamientos de DIE DRAM, lo que resulta en 2 rangos físicos (2 rangos = 36 DIE maestros con estructura x4 = 2 rangos a 72 bits) pero 8 rangos lógicos (36 apilamientos de DIE DRAM con 4 DRAM cada uno con estructura x4 = 8 rangos a 72 bits).
Debido al método único de direccionamiento de memoria, un 3DS-RDIMM o 3DS-LRDIMM no se puede utilizar junto con memoria RDIMM y LRDIMM convencional sin una estructura 3DS en el mismo canal de memoria.
La tecnología 3DS a menudo es solo una tecnología puente hasta que se puedan reducir aún más las estructuras de los DRAM. Esto permitirá la próxima duplicación de la capacidad de memoria por DRAM (y por lo tanto los módulos de memoria). Con la nueva generación de DRAM, la construcción 3DS del DRAM más antiguo será reemplazada rápidamente.
Ejemplo: 64 GB DDR4 3DS-RDIMM como 2S2Rx4 (2 rangos físicos x 2 rangos lógicos = 4 rangos lógicos). Solo se cuentan los rangos físicos. Para el sistema, la memoria es por lo tanto una memoria 2Rx4. Internamente, 2 DRAM de 2 Gbit x 4 están interconectados a través de líneas TSV.