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128GB Memoria principal DDR4 para Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69) RAM RDIMM 3DS

servidor memoria LenovoThinkSystem SN550 V2 (7Z69)

La memoria RAM del servidor amplía la capacidad de la memoria Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69) en 128GB. El módulo de memoria tiene 288 pines DIMM y un voltaje de 1,2 voltio. Esta memoria encaja perfectamente en su Lenovo ThinkSystem servidor.

Información sobre la asignación de memoria

Las siguientes especificaciones técnicas deben tenerse en cuenta de antemano:

  • El sistema admite módulos de memoria RDIMM y RDIMM 3DS (Registered DIMM) o LRDIMM y LRDIMM 3DS (Load Reduced DIMM). Los módulos LRDIMM 3DS permiten obtener grandes capacidades de memoria.
  • Los módulos de memoria RDIMM y RDIMM 3DS no pueden mezclarse con la memoria LRDIMM y LRDIMM 3DS.
  • Si se va a realizar una ampliación de memoria con las memorias RAM ya existentes, se debe comprobar qué tecnología de memoria básica (RDIMM / LRDIMM) está disponible.
  • Cuando se utiliza un sistema multiprocesador, las ranuras de memoria deben configurarse siempre de forma idéntica para cada CPU.
  • Las ranuras de memoria sin procesador no pueden utilizarse.
  • Si los módulos de memoria se suministran con velocidades superiores a las especificadas por el sistema, la velocidad de la memoria se ajusta automáticamente a las especificaciones del sistema.

Velocidad máxima de la memoria de las posibles CPUs

Las CPUs Xeon de la 3ª generación se ofrecen en Bronce, Plata, Oro o Platino. Las diferentes series de procesadores también admiten diferentes velocidades máximas de memoria:

Xeon Serie CPU velocidad máxima
MHz
Capacidad máxima de memoria
je CPU
CPU xxxxH CPU xxxxHL
Silver 4300 2666 6 TB    
Gold 5300 2933 6 TB 1,2 TB 4,5 TB
Gold 6300 3200 6 TB 1,2 TB 4,5 TB
Platinum 8300 3200 6 TB 1,2 TB 4,5 TB

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Memoria principal - info

Tamaño de la memoria 128GB
Tecnología de la memoria DDR4
Velocidad de memoria 3200MHz
La norma JEDEC PC4-25600-R
Rank 4Rx4 (2S2Rx4)
Tipo RDIMM (ECC Registered) 3DS
Número Pin 288 pines DIMM
Voltaje 1,2 voltio
Características especiales 3DS

Dispositivo - Especificaciones

Fabricante del dispositivo Lenovo
Tipo de dispositivo Servidor
Familia del aparato Lenovo ThinkSystem
Serie del dispositivo ThinkSystem SN550 serie
Nombre del dispositivo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69)
Número de referencia del fabricante 4X77A08636
Memoria máxima 4TB
Ranuras de memoria 16
Nota
Mixing RDIMMs and 3DS RDIMMs is not supported.

Información de pedido

Número de artículo SP461918
Marca
EAN 4067488254253
Condición Nuevo
Garantía de la memoria 5 años de garantía
Compatibilidad 100% compatible con Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69)
Garantía de devolución del dinero Sí, 100%
Los plazos de entrega indicados son válidos para el envío dentro de Alemania. Puede encontrar los plazos de entrega para envíos al extranjero y más información sobre los plazos de entrega aquí.
Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "128GB Memoria principal DDR4 para Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69) RAM RDIMM 3DS"

FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69)

Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69)?
Le ThinkSystem SN550 V2 (7Z69) peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 4TB de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkSystem SN550 V2 (7Z69)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.

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