16GB (2x8GB) RAM Kit Memoria principal DDR3 para QNAP TS-1253BU-8G RAM SO DIMM
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16GB (2x8GB) - DDR3 - 1600MHz - SO DIMM
Número de producto:
SP243015
Marca:
phs memory
Memoria para storage/NAS QNAP TS-1253BU-8G
16GB (2x8GB) de memoria para el QNAP TS-1253BU-8G. Las memorias de trabajo ofrecidas son memorias RAM DDR3. En la lista de la derecha se pueden encontrar más especificaciones técnicas de la memoria. Juega seguro cuando se trata de actualizaciones de memoria y compra la RAM 100% compatible al especialista en memoria.Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 16GB (2x8GB) Kit |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR3 |
| Velocidad de memoria | 1600MHz |
| La norma JEDEC | PC3L-12800S |
| Rank | 2Rx8 |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 204 pines DIMM |
| Voltaje | 1,35 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | QNAP |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Storage/NAS |
| Familia del aparato | QNAP NAS TS |
| Serie del dispositivo | NAS TS TS-x53BU serie |
| Nombre del dispositivo | TS-1253BU-8G |
| Número de referencia del fabricante | RAM-8GDR3L-SO-1600 |
| Memoria ex works | 8GB (2x4GB) |
| Memoria máxima | 16GB |
| Ranuras de memoria | 2 |
Información de pedido
| Número de artículo | SP243015 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4063369107748 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con QNAP TS-1253BU-8G |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Hoja de datos "16GB (2x8GB) RAM Kit Memoria principal DDR3 para QNAP TS-1253BU-8G RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre QNAP TS-1253BU-8G
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el QNAP TS-1253BU-8G?
En el equipo básico, el TS-1253BU-8G se suministra con 8GB (2x4GB) de RAM.
¿Cuánta memoria puedo instalar en el QNAP TS-1253BU-8G?
El TS-1253BU-8G puede ser actualizado a un máximo de 16GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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