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16GB Memoria principal DDR4 para HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4) RAM RDIMM

servidor RAM HPProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4)

La memoria RAM del servidor amplía la capacidad de la memoria HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4) en 16GB. El módulo de memoria tiene 288 pines DIMM y un voltaje de 1,2 voltio. Al comprar la expansión de la memoria, usted también puede beneficiarse de la calidad del módulo de memoria phs memory® y el apoyo de nuestro especialista en memoria.

¿Qué configuración de memoria es posible?

Gerne admite Sie unser móduloteam bei der Wahl des richtigen Memoria principals y Konfiguration Ihres Gerätes.

Grysätzlich ist es möglich, dass Ihr System con Prozessoren der E5-2600 v3 0 der E5-2600 v4 serie ausgestattet ist. Dementsprechend können die módulo dazu konfiguriert werden.

  • Die Memoria principal können als RDIMM (Registered DIMM) 0 LRDIMM (Load Reduced DIMM) módulo ausgewählt werden
  • RDIMM y LRDIMM no pueden ser usados en combinación!
  • Bei einer Aufrüstung sollten Sie deshalb wissen, welche módulo bereits vorhanden sind 0 komplett con LRDIMMactualización de la memoria del ordenador.
  • Es können nur die módulosteckplätze genutzt werden, bei denen die jeweilige CPU vorhanden ist.

Memoria principal para ProLiant DL120 Gen9 con XEON E5-2600 v4 CPU:

CPU im System RDIMM LRDIMM
 

Xeon E5-2600 v4

hasta el zu 12 x 16GB RDIMM

hasta el zu 12 x 32GB RDIMM

 

hasta el zu 12 x 32GB LRDIMM

 

 

 

 

¿Dudas sobre el artículo?

Memoria principal - info

Tamaño de la memoria 16GB
Tecnología de la memoria DDR4
Velocidad de memoria 2400MHz
La norma JEDEC PC4-19200R
Tipo RDIMM (ECC Registered)
Número Pin 288 pines DIMM
Voltaje 1,2 voltio
Características especiales -

Dispositivo - Especificaciones

Fabricante del dispositivo HP
Tipo de dispositivo Servidor
Familia del aparato HP ProLiant
Serie del dispositivo ProLiant DL120 serie
Nombre del dispositivo ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4)
Número de referencia del fabricante 836220-B21
Memoria máxima 512GB / 256GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante
Ranuras de memoria 8
Nota
RDIMM y LRDIMM no pueden ser usados en combinación! Bei einer Aufrüstung sollten Sie deshalb wissen, welche módulo bereits vorhanden sind 0 komplett auf RDIMM 0 LRDIMMactualización de la memoria del ordenador.

Información de pedido

Número de artículo SP170918
Marca
EAN 4055069407808
Condición Nuevo
Garantía de la memoria 5 años de garantía
Compatibilidad 100% compatible con HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4)
Garantía de devolución del dinero Sí, 100%
Los plazos de entrega indicados son válidos para el envío dentro de Alemania. Puede encontrar los plazos de entrega para envíos al extranjero y más información sobre los plazos de entrega aquí.
Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "16GB Memoria principal DDR4 para HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4) RAM RDIMM"

FAQ - Preguntas frecuentes sobre HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4)

Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4)?
Le ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4) peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 512GB / 256GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi HP ProLiant DL120 Gen9 (G9) (Xeon E5-2600v4)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.

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