2GB Memoria principal DDR3 para Fujitsu CELVIN NAS Q800 RAM SO DIMM
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2GB - DDR3 - 1066MHz - SO DIMM
Número de producto:
SP244354
Marca:
phs memory
Memoria para storage/NAS Fujitsu CELVIN NAS Q800
Expande la memoria de tu Fujitsu CELVIN NAS Q800 en 2GB. El módulo de memoria tiene 204 pines DIMM y un voltaje de 1,5 voltio. Esta memoria es 100% compatible con el Fujitsu CELVIN NAS Q800.
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 2GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR3 |
| Velocidad de memoria | 1066MHz |
| La norma JEDEC | PC3-8500S |
| Rank | 1Rx8 |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 204 pines DIMM |
| Voltaje | 1,5 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Fujitsu |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Storage/NAS |
| Familia del aparato | Fujitsu CELVIN |
| Serie del dispositivo | CELVIN NAS Q800 serie |
| Nombre del dispositivo | CELVIN NAS Q800 |
| Memoria ex works | 1GB |
| Memoria máxima | 2GB |
| Ranuras de memoria | 1 |
Información de pedido
| Número de artículo | SP244354 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4063369121706 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Fujitsu CELVIN NAS Q800 |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "2GB Memoria principal DDR3 para Fujitsu CELVIN NAS Q800 RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Fujitsu CELVIN NAS Q800
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Fujitsu CELVIN NAS Q800?
En el equipo básico, el CELVIN NAS Q800 se suministra con 1GB de RAM.
¿Cuánta memoria puedo instalar en el Fujitsu CELVIN NAS Q800?
El CELVIN NAS Q800 puede ser actualizado a un máximo de 2GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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