2GB Memoria principal DDR3 para Lexmark MS810dn RAM SO DIMM
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2GB - DDR3 - 1333MHz - SO DIMM
Precio normal:
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Número de producto:
SP129592
Marca:
phs memory
impresora memoria LexmarkMS810dn
2GB de memoria para el Lexmark MS810dn. Ampliar la memoria de tu Lexmark MS810dn acelera el flujo de datos de documentos complejos y, por lo tanto, aumenta el rendimiento de tu impresora. El módulo de memoria tiene 204 pines DIMM y un voltaje de 1,35 voltio. Esta memoria encaja perfectamente en su Lexmark Laser impresora.Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 2GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR3 |
| Velocidad de memoria | 1333MHz |
| La norma JEDEC | PC3L-10600S |
| Rank | 1Rx8 |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 204 pines DIMM |
| Voltaje | 1,35 voltio |
| Características especiales | memoria de la impresora |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lexmark |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Impresora |
| Familia del aparato | Lexmark Laser |
| Serie del dispositivo | Laser MS810 serie |
| Nombre del dispositivo | MS810dn |
| Número de referencia del fabricante | 57X9012, DDR3x32 |
| Memoria ex works | 512MB no extraíble |
| Memoria máxima | 2,5GB |
| Ranuras de memoria | 1 |
Información de pedido
| Número de artículo | SP129592 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4055069150506 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lexmark MS810dn |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Hoja de datos "2GB Memoria principal DDR3 para Lexmark MS810dn RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lexmark MS810dn
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lexmark MS810dn?
En el equipo básico, el MS810dn se suministra con 512MB no extraíble de RAM.
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lexmark MS810dn?
Le MS810dn peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 2,5GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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