2GB Memoria principal DDR3 para Lexmark MS817n RAM SO DIMM
2GB - DDR3 - 1333MHz - SO DIMM
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Número de producto:
SP239908
Marca:
phs memory
impresora memoria LexmarkMS817n
La memoria RAM amplía la capacidad de la memoria del Lexmark MS817n en 2GB. Ampliar la memoria de tu Lexmark MS817n acelera el flujo de datos de documentos complejos y, por lo tanto, aumenta el rendimiento de tu impresora. La memoria tiene 204 pines DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,35 voltio. Esta memoria es 100% compatible con el Lexmark MS817n.Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 2GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR3 |
| Velocidad de memoria | 1333MHz |
| La norma JEDEC | PC3L-10600S |
| Rank | 1Rx8 |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 204 pines DIMM |
| Voltaje | 1,35 voltio |
| Características especiales | memoria de la impresora |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lexmark |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Impresora |
| Familia del aparato | Lexmark Laser |
| Serie del dispositivo | Laser MS810 serie |
| Nombre del dispositivo | MS817n |
| Número de referencia del fabricante | 57X9012, DDR3x32 |
| Memoria ex works | 512MB no extraíble |
| Memoria máxima | 2,5GB |
| Ranuras de memoria | 1 |
Información de pedido
| Número de artículo | SP239908 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4063369076020 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lexmark MS817n |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Hoja de datos "2GB Memoria principal DDR3 para Lexmark MS817n RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lexmark MS817n
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lexmark MS817n?
En el equipo básico, el MS817n se suministra con 512MB no extraíble de RAM.
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lexmark MS817n?
Le MS817n peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 2,5GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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