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4GB Memoria principal DDR2 para Thecus N4200 RAM SO DIMM

Memoria para storage/NAS Thecus N4200

La memoria RAM amplía la capacidad de la memoria del Thecus N4200 en 4GB. La memoria tiene 200 pines DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,8 voltio. Esta memoria es 100% compatible con el Thecus N4200.

 

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Memoria principal - info

Tamaño de la memoria 4GB
Tecnología de la memoria DDR2
Velocidad de memoria 800MHz
La norma JEDEC PC2-6400S
Rank 2Rx8
Tipo SO DIMM
Número Pin 200 pines DIMM
Voltaje 1,8 voltio
Características especiales -

Dispositivo - Especificaciones

Fabricante del dispositivo Thecus
Tipo de dispositivo Storage/NAS
Familia del aparato Thecus SOHO (SmallOffice HomeOffice)
Serie del dispositivo SOHO (SmallOffice HomeOffice) N4000 serie
Nombre del dispositivo N4200
Memoria ex works 1GB
Memoria máxima 3GB
Ranuras de memoria 1
Nota
Aufgry des 32bit Kernels können maximal 3GB der therotisch installierbaren 4GB genutzt werden.

Información de pedido

Número de artículo SP267379
Marca
EAN 4063369362161
Condición Nuevo
Garantía de la memoria 5 años de garantía
Compatibilidad 100% compatible con Thecus N4200
Garantía de devolución del dinero Sí, 100%
Los plazos de entrega indicados son válidos para el envío dentro de Alemania. Puede encontrar los plazos de entrega para envíos al extranjero y más información sobre los plazos de entrega aquí.
Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "4GB Memoria principal DDR2 para Thecus N4200 RAM SO DIMM"

FAQ - Preguntas frecuentes sobre Thecus N4200

¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Thecus N4200?
En el equipo básico, el N4200 se suministra con 1GB de RAM.
¿Cuánta memoria puedo instalar en el Thecus N4200?
El N4200 puede ser actualizado a un máximo de 3GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.

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