4GB Memoria principal DDR4 para Lenovo ThinkCentre M70s (11DC) RAM UDIMM
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4GB - DDR4 - 2933MHz - UDIMM
Número de producto:
SP356995
Marca:
phs memory
Memoria para computadora de escritorio Lenovo ThinkCentre M70s (11DC)
La memoria aumenta la RAM del Lenovo ThinkCentre M70s (11DC) en 4GB. La memoria tiene 288 pines DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,2 voltio. Esta memoria fue probada por nosotros para el Lenovo ThinkCentre M70s (11DC). Esto asegura que esta expansión de la memoria puede ser utilizada junto con la memoria ya utilizada en el ThinkCentre M70s (11DC).
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 4GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR4 |
| Velocidad de memoria | 2933MHz |
| La norma JEDEC | PC4-23400U |
| Tipo | UDIMM (Non-ECC unbuffered) |
| Número Pin | 288 pines DIMM |
| Voltaje | 1,2 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Computadora de escritorio |
| Familia del aparato | Lenovo ThinkCentre |
| Serie del dispositivo | ThinkCentre M70 serie |
| Nombre del dispositivo | ThinkCentre M70s (11DC) |
| Memoria ex works | 32GB |
| Memoria máxima | 128GB |
| Ranuras de memoria | 4 |
| Nota | compatible con los siguientes modelos: 11DC0023BL, 11DC0023CK, 11DC0023CR, 11DC0023EE, 11DC0023EU, 11DC0023FN, 11DC0023FR, 11DC0023GE, 11DC0023HX, 11DC0023IX, 11DC0023mega, 11DC0023MD, 11DC0023MF, 11DC0023MG, 11DC0023ML, 11DC0023MN, 11DC0023MS, 11DC0023MX, 11DC0023MZ, 11DC0023PB, 11DC0023PG, 11DC0023RI, 11DC0023SP, 11DC0023TX, 11DC0023UK, 11DC0023ZY, 11DC0024BL, 11DC0024CK, 11DC0024CR, 11DC0024EE, 11DC0024EU, 11DC0024FN, 11DC0024FR, 11DC0024GE, 11DC0024HX, 11DC0024IX, 11DC0024mega, 11DC0024MD, 11DC0024MF, 11DC0024MG, 11DC0024ML, 11DC0024MN, 11DC0024MS, 11DC0024MX, 11DC0024MZ, 11DC0024PB, 11DC0024PG, 11DC0024RI, 11DC0024SP, 11DC0024TX, 11DC0027RI, 11DC0027SP, 11DC0027TX, 11DC0027UK, 11DC0027ZY, 11EW0009BL, 11EW0009EE, 11EW0009EU, 11EW0009FN, 11EW0009FR, 11EW0009GE, 11EW0009HX, 11EW0009IX, 11EW0009mega, 11EW0009MD, 11EW0009MF, 11EW0009MG, 11EW0009ML, 11EW0009MN, 11EW0009MS, 11EW0009MX, 11EW0009MZ, 11EW0009PB, 11EW0009PG, 11EW0009RI, 11EW0009SP, 11EW0009TX, 11EW0009UK, 11EW000ABL, 11EW000AEE, 11EW000AEU, 11EW000AFN, 11EW000AFR, 11EW000AGE, 11EW000AHX, 11EW000AIX, 11EW000Amega, 11EW000AMD, 11EW000AMF, 11EW000AMG, 11EW000AML, 11EW000AMN, 11EW000AMS, 11EW000AMX, 11EW000AMZ, 11EW000APB, 11EW000APG, 11EW000ARI, 11EW000ASP, 11EW000ATX, etc.
|
Información de pedido
| Número de artículo | SP356995 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4064578196585 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lenovo ThinkCentre M70s (11DC) |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Las fotos de los productos no reflejan necesariamente el aspecto real del producto. En el caso de los módulos de memoria, esto puede deberse a cambios de diseño u otras circunstancias que no podemos controlar.
Hoja de datos "4GB Memoria principal DDR4 para Lenovo ThinkCentre M70s (11DC) RAM UDIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkCentre M70s (11DC)
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lenovo ThinkCentre M70s (11DC)?
En el equipo básico, el ThinkCentre M70s (11DC) se suministra con 32GB de RAM.
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lenovo ThinkCentre M70s (11DC)?
Le ThinkCentre M70s (11DC) peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 128GB de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkCentre M70s (11DC)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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