8GB Memoria principal DDR3 para Lenovo ThinkServer RD530 Rack RAM UDIMM ECC
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8GB - DDR3 - 1600MHz - UDIMM ECC
Número de producto:
SP151053
Marca:
phs memory
servidor memoria LenovoThinkServer RD530 Rack
La memoria aumenta la RAM de su servidor Lenovo ThinkServer RD530 Rack en 8GB. El RAM ofrecido DDR3 tiene una velocidad de bus de 1600MHz PC3-12800E 2Rx8. Especificamente, son UDIMM ECC (ECC unbuffered) módulos de memoria. El módulo de memoria tiene 240 pines DIMM y un voltaje de 1,5 voltio. ¡No hay experimentos! Compre la memoria adecuada al especialista en memoria para actualizar su servidor de forma segura y exitosaInformación sobre la asignación de memoria
Las siguientes especificaciones técnicas deben tenerse en cuenta de antemano:
- En el dispositivo, se pueden instalar módulos de memoria RAM RDIMM (Registered DIMM) o LRDIMM (Load Reduced DIMM). Se recomienda el uso de memoria LRDIMM cuando se buscan capacidades de memoria grandes.
- Los módulos de memoria RDIMM no pueden mezclarse con las memorias LRDIMM.
- Si se va a utilizar una ampliación de memoria con las memorias RAM existentes, se debe comprobar qué tecnología de memoria (RDIMM / LRDIMM) está ya instalada en el sistema.
- Las ranuras de memoria sin procesador no pueden utilizarse.
- Un reloj de memoria más alto del módulo de memoria se adapta automáticamente al reloj de memoria especificado por el sistema. Este puede ser el caso especialmente con las capacidades más grandes.
- Cuando se utilizan 4Rank (4Rx..) RDIMM, sólo se pueden utilizar 2 de 3 ranuras de memoria por canal de memoria.
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR3 |
| Velocidad de memoria | 1600MHz |
| La norma JEDEC | PC3-12800E |
| Rank | 2Rx8 |
| Tipo | UDIMM ECC (ECC unbuffered) |
| Número Pin | 240 pines DIMM |
| Voltaje | 1,5 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Servidor |
| Familia del aparato | Lenovo ThinkServer |
| Serie del dispositivo | ThinkServer RD500 serie |
| Nombre del dispositivo | ThinkServer RD530 Rack |
| Memoria máxima | 640GB |
| Ranuras de memoria | 20 |
| Nota | ECC UDIMM, RDIMM y LR DIMM können nicht gemischt im servidor verwendet werden. Mit ECC UDIMM maximal 160GB, RDIMM y LR Dimm maximal 640GB.
Möglichst alle la ranura con identischer módulotechnologie y -kapazität belegen para optimale Performance. |
Información de pedido
| Número de artículo | SP151053 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4055069244205 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lenovo ThinkServer RD530 Rack |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
Los plazos de entrega indicados son válidos para el envío dentro de Alemania. Puede encontrar los plazos de entrega para envíos al extranjero y más información sobre los plazos de entrega aquí.
Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR3 para Lenovo ThinkServer RD530 Rack RAM UDIMM ECC"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkServer RD530 Rack
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lenovo ThinkServer RD530 Rack?
Le ThinkServer RD530 Rack peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 640GB de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkServer RD530 Rackes más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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