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8GB Memoria principal DDR3 para QNAP TS-453BU-RP-4G RAM SO DIMM

Memoria QNAP TS-453BU-RP-4G

La memoria aumenta la RAM del QNAP TS-453BU-RP-4G en 8GB. La memoria tiene 204 pines DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,35 voltio. ¡No hay experimentos! Compre la memoria adecuada al especialista en memoria para actualizar su storage/NAS de forma segura y exitosa

 

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Memoria principal - info

Tamaño de la memoria 8GB
Tecnología de la memoria DDR3
Velocidad de memoria 1866MHz
La norma JEDEC PC3L-14900S
Rank 2Rx8
Tipo SO DIMM
Número Pin 204 pines DIMM
Voltaje 1,35 voltio
Características especiales -

Dispositivo - Especificaciones

Fabricante del dispositivo QNAP
Tipo de dispositivo Storage/NAS
Familia del aparato QNAP NAS TS
Serie del dispositivo NAS TS TS-x53BU serie
Nombre del dispositivo TS-453BU-RP-4G
Memoria ex works 4GB (2x2GB)
Memoria máxima 16GB
Ranuras de memoria 2

Información de pedido

Número de artículo SP411243
Marca
EAN 4064578742638
Condición Nuevo
Garantía de la memoria 5 años de garantía
Compatibilidad 100% compatible con QNAP TS-453BU-RP-4G
Garantía de devolución del dinero Sí, 100%
Los plazos de entrega indicados son válidos para el envío dentro de Alemania. Puede encontrar los plazos de entrega para envíos al extranjero y más información sobre los plazos de entrega aquí.
Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR3 para QNAP TS-453BU-RP-4G RAM SO DIMM"

FAQ - Preguntas frecuentes sobre QNAP TS-453BU-RP-4G

¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el QNAP TS-453BU-RP-4G?
En el equipo básico, el TS-453BU-RP-4G se suministra con 4GB (2x2GB) de RAM.
¿Cuánta memoria puedo instalar en el QNAP TS-453BU-RP-4G?
El TS-453BU-RP-4G puede ser actualizado a un máximo de 16GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.

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