8GB Memoria principal DDR3 para Tarox ParX R104s G5 RAM UDIMM ECC
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8GB - DDR3 - 1600MHz - UDIMM ECC
Número de producto:
SP161331
Marca:
phs memory
Memoria para storage/NAS Tarox ParX R104s G5
La memoria RAM amplía la capacidad de la memoria del Tarox ParX R104s G5 en 8GB. El módulo de memoria tiene 240 pines DIMM y un voltaje de 1,5 voltio. Al comprar la expansión de la memoria, usted también puede beneficiarse de la calidad del módulo de memoria phs memory® y el apoyo de nuestro especialista en memoria.
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR3 |
| Velocidad de memoria | 1600MHz |
| La norma JEDEC | PC3-12800E |
| Rank | 2Rx8 |
| Tipo | UDIMM ECC (ECC unbuffered) |
| Número Pin | 240 pines DIMM |
| Voltaje | 1,5 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Tarox |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Storage/NAS |
| Familia del aparato | Tarox ParX storage/NAS |
| Serie del dispositivo | ParX storage/NAS R100 serie |
| Nombre del dispositivo | ParX R104s G5 |
| Memoria máxima | 32GB |
| Ranuras de memoria | 4 |
Información de pedido
| Número de artículo | SP161331 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4055069324839 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Tarox ParX R104s G5 |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Las fotos de los productos no reflejan necesariamente el aspecto real del producto. En el caso de los módulos de memoria, esto puede deberse a cambios de diseño u otras circunstancias que no podemos controlar.
Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR3 para Tarox ParX R104s G5 RAM UDIMM ECC"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Tarox ParX R104s G5
¿Cuánta memoria puedo instalar en el Tarox ParX R104s G5?
El ParX R104s G5 puede ser actualizado a un máximo de 32GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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