8GB Memoria principal DDR4 para Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD) RAM SO DIMM
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Número de producto:
SP379364
Marca:
phs memory
Memoria Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD)
La memoria aumenta la RAM del Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD) en 8GB. La memoria tiene 260 pines DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,2 voltio. Juega seguro cuando se trata de actualizaciones de memoria y compra la RAM 100% compatible al especialista en memoria.
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR4 |
| Velocidad de memoria | 2400MHz |
| La norma JEDEC | PC4-19200S |
| Rank | 1Rx8 |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 260 pines DIMM |
| Voltaje | 1,2 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Asustor |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Storage/NAS |
| Familia del aparato | Asustor Lockerstor |
| Serie del dispositivo | Lockerstor AS6500 serie |
| Nombre del dispositivo | Lockerstor 4RD (AS6504RD) |
| Número de referencia del fabricante | AS-8GD4 |
| Memoria ex works | 8GB (1x8GB) |
| Memoria máxima | 128GB |
| Ranuras de memoria | 4 |
Información de pedido
| Número de artículo | SP379364 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4064578424916 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD) |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR4 para Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD) RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD)
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD)?
En el equipo básico, el Lockerstor 4RD (AS6504RD) se suministra con 8GB (1x8GB) de RAM.
¿Cuánta memoria puedo instalar en el Asustor Lockerstor 4RD (AS6504RD)?
El Lockerstor 4RD (AS6504RD) puede ser actualizado a un máximo de 128GB de RAM.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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