8GB Memoria principal DDR4 para Lenovo ThinkCentre M60e (11LV) RAM SO DIMM
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8GB - DDR4 - 3200MHz - SO DIMM
Número de producto:
SP374318
Marca:
phs memory
Memoria Lenovo ThinkCentre M60e (11LV)
Expande la memoria de tu Lenovo ThinkCentre M60e (11LV) en 8GB. La memoria tiene 260 pines DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,2 voltio. Esta memoria es 100% compatible con el Lenovo ThinkCentre M60e (11LV).
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR4 |
| Velocidad de memoria | 3200MHz |
| La norma JEDEC | PC4-25600S |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 260 pines DIMM |
| Voltaje | 1,2 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Computadora de escritorio |
| Familia del aparato | Lenovo ThinkCentre |
| Serie del dispositivo | ThinkCentre M600 serie |
| Nombre del dispositivo | ThinkCentre M60e (11LV) |
| Número de referencia del fabricante | 4X70Z90846, 4X70Z90844 |
| Memoria ex works | 8GB |
| Memoria máxima | 64GB / 32GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante |
| Ranuras de memoria | 2 |
| Nota | compatible con los siguientes modelos: 11LV0000BL, 11LV0000CK, 11LV0000CR, 11LV0000EE, 11LV0000EU, 11LV0000FR, 11LV0000GE, 11LV0000HX, 11LV0000IX, 11LV0000mega, 11LV0000MD, 11LV0000MG, 11LV0000MH, 11LV0000PB, 11LV0000PG, 11LV0000RI, 11LV0000SP, 11LV0000TX, 11LV0000ZY, 11LV003EBL, 11LV003ECK, 11LV003ECR, 11LV003EEE, 11LV003EEU, 11LV003EFR, 11LV003EGE, 11LV003EHX, 11LV003EIX, 11LV003Emega, 11LV003EMD, 11LV003EMG, 11LV003EMH, 11LV003EPB, 11LV003EPG, 11LV003ERI, 11LV003ESP, 11LV003ETX, 11LV003EZY, 11LV003FBL, 11LV003FCK, 11LV003FCR, 11LV003FEE, 11LV003FEU, 11LV003FFR, 11LV003FGE, 11LV003FHX, 11LV003FIX, 11LV003Fmega, 11LV003FMD, 11LV003FMG, 11LV003KMG, 11LV003KMH, 11LV003KPB, 11LV003KPG, 11LV003KRI, 11LV003KSP, 11LV003KTX, 11LV003KZY, 11LV003LBL, 11LV003LCK, 11LV003LCR, 11LV003LEE, 11LV003LEU, 11LV003LFR, 11LV003LGE, 11LV003LHX, 11LV003LIX, 11LV003Lmega, 11LV003LMD, 11LV003LMG, 11LV003LMH, 11LV003LPB, 11LV003LPG, 11LV003LRI, 11LV003LSP, 11LV003LTX, 11LV003LZY, 11LV003megaL, 11LV003MCK, 11LV003MCR, 11LV003MEE, 11LV003MEU, 11LV003MFR, 11LV003MGE, 11LV003MHX, 11LV003MIX, 11LV003Mmega, 11LV003MMD, 11LV003MMG, 11LV003MMH, 11LV003MPB, 11LV003MPG, 11LV003MRI, 11LV003MSP, 11LV003MTX, 11LV003MZY, 11LV003NBL, 11LV003NCK, 11LV003NCR, 11LV003NEE, etc.
|
Información de pedido
| Número de artículo | SP374318 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4064578374938 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lenovo ThinkCentre M60e (11LV) |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Las fotos de los productos no reflejan necesariamente el aspecto real del producto. En el caso de los módulos de memoria, esto puede deberse a cambios de diseño u otras circunstancias que no podemos controlar.
Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR4 para Lenovo ThinkCentre M60e (11LV) RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkCentre M60e (11LV)
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lenovo ThinkCentre M60e (11LV)?
En el equipo básico, el ThinkCentre M60e (11LV) se suministra con 8GB de RAM.
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lenovo ThinkCentre M60e (11LV)?
Le ThinkCentre M60e (11LV) peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 64GB / 32GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkCentre M60e (11LV)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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