8GB Memoria principal DDR5 para Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) RAM SO DIMM
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8GB - DDR5 - 5600MHz - SO DIMM
Número de producto:
SP574658
Marca:
phs memory
Memoria para ordenador portátil Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH)
La memoria aumenta la RAM del Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) en 8GB. La memoria tiene 262 pines SO DIMM DIMM y funciona con un voltaje de 1,1 voltio. Al comprar la expansión de la memoria, usted también puede beneficiarse de la calidad del módulo de memoria phs memory® y el apoyo de nuestro especialista en memoria.
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR5 |
| Velocidad de memoria | 5600MHz |
| La norma JEDEC | PC5-44800S |
| Tipo | SO DIMM |
| Número Pin | 262 pines SO DIMM |
| Voltaje | 1,1 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Ordenador portátil |
| Familia del aparato | Lenovo ThinkBook |
| Serie del dispositivo | ThinkBook 16 serie |
| Nombre del dispositivo | ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) |
| Memoria ex works | 8GB / 16GB / 32GB |
| Memoria máxima | 96GB / 64GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante |
| Ranuras de memoria | 2 |
| Nota | Passend para die folgenden Modelle: 21SH007QGE, 21SH007QGM, 21SH007REE, 21SH007SAT, 21SH007SGE, 21SH007SML, 21SH007TGM, 21SH007TMH, 21SH007TML, 21SH007UIX, 21SH007VGE, 21SH007VGM, 21SH007WMH, 21SH007WTX, 21SH007XIX, 21SH007XPG, 21SH007YCX, 21SH007YGE, 21SH007YRI, 21SH007YSP, 21SH0080AT, 21SH0081CX, 21SH0081mega, 21SH0081MD, 21SH0082HV, 21SH0083HV, 21SH0083RI, 21SH0085GE, 21SH0085SP, 21SH0086BM, 21SH0086FR, 21SH0086PB, 21SH0086SC, 21SH0087GE, 21SH0087IX, 21SH0087mega, 21SH0087MD, 21SH0087SC, 21SH0088GE, 21SH0088GM, 21SH0089PB, 21SH008DGE, 21SH008FRI, 21SH008GBM, 21SH008GHV, 21SH008HFR, 21SH008HGE, 21SH008HPG, 21SH008KGM, 21SH008KTX, 21SH008LEE, 21SH008MGM, 21SH008NGE, 21SH008NGM, 21SH008NIX, 21SH008Nmega, 21SH008PIX, 21SH008QPG, 21SH008RBM, 21SH008RGM, 21SH008SAT, 21SH008SFR, 21SH008SGM, 21SH008TEE, 21SH008TIX, 21SH008TSP, 21SH008UGE, 21SH008UTX, 21SH008VGE, 21SH008VGM, 21SH008VPG, 21SH008XIX, 21SH008XTX, 21SH008YML, 21SH0090GE, 21SH0091CX, 21SH0091GM, 21SH0091IX, 21SH0091MH, 21SH0092SC, 21SH009GTX, 21SH009HTX, 21SH009TPG, 21SH009UGE, 21SH009UGM, 21SH009UPG, 21SH009WGM, 21SH009WMD, 21SH009XGE, 21SH009XIX, 21SH00A4PB, 21SH00FAGM, 21SH00FHGM, etc.
|
Información de pedido
| Número de artículo | SP574658 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4069169456413 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Las fotos de los productos no reflejan necesariamente el aspecto real del producto. En el caso de los módulos de memoria, esto puede deberse a cambios de diseño u otras circunstancias que no podemos controlar.
Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR5 para Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) RAM SO DIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH)
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH)?
En el equipo básico, el ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) se suministra con 8GB / 16GB / 32GB de RAM.
¿Cuánta memoria puedo instalar en el Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH)?
El ThinkBook 16 G8 IRL (21SH) puede ser actualizado a un máximo de 96GB / 64GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkBook 16 G8 IRL (21SH)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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