8GB Memoria principal DDR5 para Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) RAM UDIMM
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8GB - DDR5 - 4800MHz - UDIMM
Número de producto:
SP565212
Marca:
phs memory
Memoria Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD)
La memoria aumenta la RAM del Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) en 8GB. El módulo de memoria tiene 288 pines DIMM y un voltaje de 1,1 voltio. Esta memoria es 100% compatible con el Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD).
Memoria principal - info
| Tamaño de la memoria | 8GB |
|---|---|
| Tecnología de la memoria | DDR5 |
| Velocidad de memoria | 4800MHz |
| La norma JEDEC | PC5-38400U |
| Tipo | UDIMM (Non-ECC unbuffered) |
| Número Pin | 288 pines DIMM |
| Voltaje | 1,1 voltio |
| Características especiales | - |
Dispositivo - Especificaciones
| Fabricante del dispositivo | Lenovo |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Computadora de escritorio |
| Familia del aparato | Lenovo ThinkCentre neo |
| Serie del dispositivo | ThinkCentre neo 50 serie |
| Nombre del dispositivo | ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) |
| Memoria ex works | 8GB / 16GB / 32GB / 64GB |
| Memoria máxima | 96GB / 64GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante |
| Ranuras de memoria | 2 |
| Nota | Passend para die folgenden Modelle: 12XD0001GE, 12XD0006GE, 12XD0006MS, 12XD0009EE, 12XD000EIX, 12XD000ESP, 12XD000FMF, 12XD000HEU, 12XD000HGE, 12XD000HIX, 12XD000HMH, 12XD000JPB, 12XD000PRI, 12XD000QGE, 12XD000QTR, 12XD000SGE, 12XD000WGE, 12XD000WMX, 12XD000YNX, 12XD000YPG, 12XD0010IX, 12XD0012ZY, 12XD0013BL, 12XD0016HX, 12XD0016IX, 12XD0016MG, 12XD0016MS, 12XD0017IX, 12XD0017MD, 12XD0017ML, 12XD0017MS, 12XD0018CR, 12XD0019GE, 12XD001AGE, 12XD001APB, 12XD001Bmega, 12XD001DGE, 12XD001EMF, 12XD001GGE, 12XD001HML, 12XD001JFN, 12XD001Jmega, 12XD001JSP, 12XD001KMS, 12XD001LNX, 12XD001NGE, 12XD001PTR, 12XD001QNX, 12XD001SIX, 12XD001TPG, 12XD001UMD, 12XD0021BL, 12XD0021GE, 12XD0022ML, 12XD0022MS, 12XD0023MF, 12XD0024HX, 12XD0024MX, 12XD0025SP, 12XD0026FN, 12XD0071EU, 12XD0071FR, 12XD0071PB, 12XD0077CR, 12XD007CFN, 12XD007GTR, 12XD007LBL, 12XD007QMD, 12XD007TRI, 12XD007UMS, 12XD007YZY, 12XD0086MG, 12XD0087MX, 12XD0087PG, 12XD0088EE, 12XD0089HX, 12XD008CEE, 12XD008DZY, 12XD008HMH, 12XD008NGE, 12XD008NMH, 12XD008VRI, 12XD008YMG, 12XD0091CR, 12XD0092EU, 12XD0093FR, 12XD0093GE, 12XD0093mega, 12XD0097GE, 12XD009AFR, etc. |
Información de pedido
| Número de artículo | SP565212 |
|---|---|
| Marca | |
| EAN | 4069169353620 |
| Condición | Nuevo |
| Garantía de la memoria | 5 años de garantía |
| Compatibilidad | 100% compatible con Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) |
| Garantía de devolución del dinero | Sí, 100% |
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Las fotos de los productos no reflejan necesariamente el aspecto real del producto. En el caso de los módulos de memoria, esto puede deberse a cambios de diseño u otras circunstancias que no podemos controlar.
Hoja de datos "8GB Memoria principal DDR5 para Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) RAM UDIMM"
FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD)
¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD)?
En el equipo básico, el ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) se suministra con 8GB / 16GB / 32GB / 64GB de RAM.
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD)?
Le ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD) peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 96GB / 64GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkCentre neo 50s Gen 5 (12XD)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.
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