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24GB Memoria principal DDR5 para Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH) RAM SO DIMM

Memoria Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)

La memoria aumenta la RAM del Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH) en 24GB. El módulo de memoria tiene 262 pines SO DIMM y un voltaje de 1,1 voltio. Esta memoria es 100% compatible con el Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH).

 

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Memoria principal - info

Tamaño de la memoria 24GB
Tecnología de la memoria DDR5
Velocidad de memoria 4800MHz
La norma JEDEC PC5-38400-S
Tipo SO DIMM
Número Pin 262 pines SO DIMM
Voltaje 1,1 voltio
Características especiales -

Dispositivo - Especificaciones

Fabricante del dispositivo Lenovo
Tipo de dispositivo Computadora de escritorio
Familia del aparato Lenovo ThinkCentre
Serie del dispositivo ThinkCentre M90 serie
Nombre del dispositivo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)
Memoria ex works 8GB / 16GB / 32GB
Memoria máxima 96GB / 64GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante
Ranuras de memoria 2
Nota
compatible con los siguientes modelos: 12EH0006BL, 12EH0006CK, 12EH0006CR, 12EH0006EE, 12EH0006EU, 12EH0006FN, 12EH0006FR, 12EH0006GE, 12EH0006HX, 12EH0006IL, 12EH0006IX, 12EH0006mega, 12EH0006MD, 12EH0006MF, 12EH0006MG, 12EH0006MH, 12EH0006ML, 12EH0006MS, 12EH0006MT, 12EH0006MX, 12EH0006MZ, 12EH0006NX, 12EH0006PB, 12EH0006PG, 12EH0006RI, 12EH0006SP, 12EH0006UK, 12EH0006ZY, 12EH0007BL, 12EH0007CK, 12EH0007CR, 12EH0007EE, 12EH0007EU, 12EH0007FN, 12EH0007FR, 12EH0007GE, 12EH0007HX, 12EH0007IL, 12EH0007IX, 12EH0007mega, 12EH0007MD, 12EH0007MF, 12EH0007MG, 12EH0007MH, 12EH0007ML, 12EH0007MS, 12EH0007MT, 12EH0007MX, 12EH0007MZ, 12EH0007NX, 12EH000AMF, 12EH000AMG, 12EH000AMH, 12EH000AML, 12EH000AMS, 12EH000AMT, 12EH000AMX, 12EH000AMZ, 12EH000ANX, 12EH000APB, 12EH000APG, 12EH000ARI, 12EH000ASP, 12EH000AUK, 12EH000AZY, 12EH000BBL, 12EH000BCK, 12EH000BCR, 12EH000BEE, 12EH000BEU, 12EH000BFN, 12EH000BFR, 12EH000BGE, 12EH000BHX, 12EH000BIL, 12EH000BIX, 12EH000Bmega, 12EH000BMD, 12EH000BMF, 12EH000BMG, 12EH000BMH, 12EH000BML, 12EH000BMS, 12EH000BMT, 12EH000BMX, 12EH000BMZ, 12EH000BNX, 12EH000BPB, 12EH000BPG, 12EH000BRI, 12EH000BSP, 12EH000BUK, 12EH000BZY, 12EH000CBL, 12EH000CCK, 12EH000CCR, 12EH000CEE, 12EH000CEU, 12EH000CFN, 12EH000CFR, etc.

Información de pedido

Número de artículo SP502903
Marca
EAN 4067488668531
Condición Nuevo
Garantía de la memoria 5 años de garantía
Compatibilidad 100% compatible con Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)
Garantía de devolución del dinero Sí, 100%
Los plazos de entrega indicados son válidos para el envío dentro de Alemania. Puede encontrar los plazos de entrega para envíos al extranjero y más información sobre los plazos de entrega aquí.
Las fotos del producto no reflejan necesariamente el aspecto real de los módulos de memoria. Esto se debe a cambios en la disposición de los módulos de memoria o a otras circunstancias fuera de nuestro control.
Hoja de datos "24GB Memoria principal DDR5 para Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH) RAM SO DIMM"

FAQ - Preguntas frecuentes sobre Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)

¿Con qué capacidad de almacenamiento se entregó el Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)?
En el equipo básico, el ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH) se suministra con 8GB / 16GB / 32GB de RAM.
Quelle quantité de mémoire puis-je installer dans l' Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)?
Le ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH) peut être mis à niveau jusqu'à un maximum de 96GB / 64GB de acuerdo con las especificaciones del fabricante de RAM.
La extensión de la memoria del ordenador phs memory® para mi Lenovo ThinkCentre M90q Gen 4 (12EH)es más rápida que la memoria RAM existente - ¿Es esto un problema?
Su ordenador contiene módulos de memoria con una frecuencia de reloj más lenta. La "Opción de velocidad de retroceso" incorporada en el SPD se ajusta automáticamente a la frecuencia de reloj del módulo de memoria más lento. Los módulos de memoria trabajan con la frecuencia de reloj de los módulos de memoria instalados de fábrica.
¿La garantía legal de mi dispositivo expira si yo mismo instalo una nueva memoria?
La garantía legal de su sistema no se ve afectada por la instalación de la memoria principal.

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